德州儀器公司(TI)宣布在其45納米高性能芯片中使用高-K介電薄膜，從而進入高-K介電薄膜新時代。

　　TI計劃在柵層疊應(yīng)用中使用高-K介電薄膜，因為傳統(tǒng)二氧化硅材料快用完了。多年來高-K介電薄膜一直被考慮用于處理芯片設(shè)計中的漏電和功率問題。

　　TI計劃在SunMicrosystems的Sparc芯片中首次使用高-K介電薄膜，并在45納米及其以后的芯片繼續(xù)使用。IBM、Intel和NEC已經(jīng)分別宣布了使用高-K介電薄膜的工藝，TI的高-K介電薄膜具有一定的優(yōu)勢。

　　通過使用氮化CVD技術(shù)，TI能夠在不降低其他參數(shù)的情況下解決漏電的問題。

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