采用芯片級封裝的新款MOSFET器件將最小的占位空間與最佳的導(dǎo)通電阻性能進(jìn)行了完美的結(jié)合

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 4 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出了旨在滿足對便攜式設(shè)備中更小元件的需求的 20V p 通道 TrenchFET? 功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT? 芯片級封裝，具有此類器件中業(yè)界最薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。

　　Vishay Siliconix Si8441DB 具有 0.59mm 的超薄厚度，以及 1.5mm×1mm 的占位面積，這也是在 1.2V 額定電壓時(shí)提供導(dǎo)通電阻的首款此類器件。該器件的典型應(yīng)用包括手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)及電池保護(hù)。

　　Si8441DB 提供了 1.2V VGS 時(shí) 0.600? 至 4.5V VGS 時(shí) 0.080?的導(dǎo)通電阻范圍，且具有最高 ±5V 的柵源電壓。其在 1.2V 額定電壓時(shí)出色的低導(dǎo)通電阻性能降低了對電平位移電路的需求，從而節(jié)約了便攜式電子設(shè)計(jì)中的空間。

　　Vishay同時(shí)還推出了采用相同 MICRO FOOT? 芯片級封裝的另一新款 MOSFET 功率器件--- 20V p 通道 Si8451DB。Si8451DB 的最高額定柵源電源為 8V，其導(dǎo)通電阻范圍介于 1.5V 時(shí) 0.200Ω 至 4.5V 時(shí) 0.80Ω，這是迄今為止具有這些額定電壓的器件所實(shí)現(xiàn)的最佳值。

　　隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會(huì)極大減少。為實(shí)現(xiàn)消費(fèi)者對電池充電間隔間的電池運(yùn)行時(shí)間的期望，設(shè)計(jì)人員需要具有低功耗的更小的 MOSFET 封裝 — 這恰恰是Vishay的 Si8441DB 及 Si8451DB 所具有的特點(diǎn)。

　　目前，上述兩款新型 MICRO FOOT? 芯片級封裝功率 MOSFET 的樣品與量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。

VISHAY簡介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。
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（轉(zhuǎn)載）