APD是1個光子進入受光部分時，像雪崩（avalanche）一樣生成10～100對電子和空穴的光電二極管（PD）。因此，感度比一般的PD高出10倍以上。只是，原來的APD多由銦和磷（InP）等的化合物制造，單價較高，為200～300美元。

    新開發(fā)APD的增益值和帶寬值的乘積為340GHz，大幅超出一般InP制造APD的120GHz。所謂增益值和帶寬值的乘積為340GHz，意味著增益為10倍時可以帶寬為30G～40GHz，或增益為30倍時可以帶寬約為10GHz使用APD。當(dāng)InP制APD元件減薄至0.2μm以下時，增益和帶寬的乘積變大，但性能偏差也隨之增大。而此次開發(fā)的APD，從理論上講即使減薄其性能偏差也不會增大。

    此次APD的高性能，是通過發(fā)揮將鍺（Ge）用作紅外線的吸收材料以及采用應(yīng)變硅，即提高硅的載流子遷移率技術(shù)材料的兩種作用實現(xiàn)的。原來將使用Ge的應(yīng)變硅技術(shù)用于PD，存在因錯位和缺陷變大導(dǎo)致暗電流增加的問題。而此次該問題“通過優(yōu)化結(jié)晶生長的溫度等參數(shù)已基本解決”（英特爾公司研究員兼英特爾光子技術(shù)實驗室的負責(zé)人Mario Paniccia）。

    英特爾因該成果“尚處于研究開發(fā)階段”，沒有公開具體的實用化時期和成本。不過，“與基于InP的APD相比，成本的大幅降低毋庸置疑”。

（轉(zhuǎn)載）