第九屆電介質(zhì)材料性能與應(yīng)用國(guó)際會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)

ICPADM2009國(guó)際會(huì)議組織委員會(huì)主席、中國(guó)工程院院士、遠(yuǎn)東控股集團(tuán)院士專家工作站受聘院士雷清泉參加會(huì)議

　　本網(wǎng)訊　7月20日—23日，第九屆電介質(zhì)材料性能與應(yīng)用國(guó)際會(huì)議(ICPADM 2009)在哈爾濱理工大學(xué)隆重召開(kāi)，來(lái)自30個(gè)國(guó)家和地區(qū)的專家、學(xué)者和企業(yè)代表等250余人參加了會(huì)議。遠(yuǎn)東控股集團(tuán)品牌文化部吳楠、遠(yuǎn)東電纜公司技術(shù)中心盛金偉代表公司出席大會(huì)。

　　本次會(huì)議旨在為全球范圍電介質(zhì)材料性能與應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的專家學(xué)者搭建學(xué)術(shù)交流與溝通的平臺(tái)，不斷拓寬世界電解質(zhì)性能與應(yīng)用的研究領(lǐng)域。在首日上午舉行的全體會(huì)議上，ICPADM 2009國(guó)際會(huì)議組織委員會(huì)主席、中國(guó)工程院院士、遠(yuǎn)東控股集團(tuán)院士專家工作站受聘院士雷清泉致歡迎詞，并發(fā)表了題為“納米電介質(zhì)結(jié)構(gòu)與運(yùn)動(dòng)的時(shí)空多層次型”的主題報(bào)告。來(lái)自法國(guó)、日本、美國(guó)等國(guó)家的專家學(xué)者做了專題報(bào)告。

　　ICPADM在全球電介質(zhì)性能與應(yīng)用研究領(lǐng)域有著廣泛的影響力，是全球電介質(zhì)研究領(lǐng)域內(nèi)三大會(huì)議之一，每三年舉辦一屆。第一屆和第二屆會(huì)議分別于上世紀(jì)80年代在我國(guó)西安交通大學(xué)和清華大學(xué)舉行。ICPADM 2009是由美國(guó)IEEE電介質(zhì)與電絕緣協(xié)會(huì)(IEEE DEIS)主辦，中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)、中國(guó)電機(jī)工程學(xué)會(huì)技術(shù)支持，哈爾濱理工大學(xué)承辦。本次會(huì)議共收到來(lái)自全球19個(gè)國(guó)家和地區(qū)，涵蓋12個(gè)專業(yè)議題的310多篇學(xué)術(shù)論文。會(huì)議收到的稿件數(shù)量和質(zhì)量以及出席會(huì)議人數(shù)均創(chuàng)歷屆ICPADM國(guó)際會(huì)議最高。

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