三菱電機(jī)此次試制的薄膜硅型太陽(yáng)能電池，配備了3層吸收波長(zhǎng)各不相同的發(fā)電層。各層采用的具體材料沒(méi)有公開(kāi)，但組合使用了非晶硅類材料及微結(jié)晶硅類材料。

　　為轉(zhuǎn)換效率實(shí)現(xiàn)14.8%做出貢獻(xiàn)的是，可削減各層損耗的元件設(shè)計(jì)技術(shù)及提高光密封效果的透明導(dǎo)電膜的凹凸形成技術(shù)。這些技術(shù)是采用半導(dǎo)體及液晶面板的技術(shù)開(kāi)發(fā)而成的。

　　此次的薄膜硅型太陽(yáng)能電池從07年底在三菱電機(jī)尖端技術(shù)綜合研究所(尼崎市)開(kāi)始進(jìn)行開(kāi)發(fā)。實(shí)驗(yàn)設(shè)備最大可試制90mm見(jiàn)方的薄膜硅型太陽(yáng)能電池。該公司計(jì)劃今后進(jìn)一步擴(kuò)大面積以及提高轉(zhuǎn)換效率。

　　在日本大型太陽(yáng)能電池廠商中，夏普及三洋電機(jī)正在量產(chǎn)或準(zhǔn)備量產(chǎn)薄膜硅型太陽(yáng)能電池。京瓷及三菱電機(jī)則認(rèn)為“薄膜硅型太陽(yáng)能電池較多晶硅型太陽(yáng)能電池更具優(yōu)越性”，所以一直在致力于開(kāi)發(fā)多晶硅型太陽(yáng)能電池。此次，三菱電機(jī)公開(kāi)了有關(guān)薄膜硅型太陽(yáng)能電池的具體開(kāi)發(fā)成果，今后，京瓷的舉動(dòng)將更受關(guān)注。

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