東芝與英特爾和三星電子計劃建立一個財團，并邀請約10家半導體材料及相關企業(yè)加入，以到2016年共同開發(fā)出半導體線寬減半至近10納米的新芯片技術。

　　綜合媒體10月29日報道，東芝公司（Toshiba Corp.）將與英特爾（Intel Corp.）和三星電子(Samsung Electronics Co.)共同合作，以到2016年開發(fā)出半導體線寬減少逾一半至近10納米的技術。

　　據(jù)《日經(jīng)新聞》（Nikkei）10月29日早刊報道，這三家芯片制造商計劃很快建立一個財團，并邀請10家左右的經(jīng)營半導體材料及相關領域的企業(yè)加入。這些企業(yè)中預計將包括全球最大光致抗蝕劑生產(chǎn)商JSR Corp.、世界排名第1和第2的光掩膜制造商大日本印刷公司（Dai Nippon Printing Co.）和日本凸版印刷公司（Toppan Printing Co.）、以及世界排名第2的芯片制造商東京電子（Tokyo Electron Ltd.）。 這個財團將在茨城縣筑波公私合營工廠開展研發(fā)工作。

　　日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省（Ministry of Economy, Trade and Industry）預計將為該研發(fā)工作約100億日圓的啟動資金提供約50億日圓資金，其余部分可能將來自于財團成員企業(yè)。

　　這將標志著首次有日本公私合營半導體開發(fā)項目接納了外國芯片制造商為主要成員企業(yè)。日方認為，考慮到大量的開發(fā)成本和競爭的加劇，最好的選擇是與全球第一大及第二大芯片制造商英特爾和三星電子攜手合作。

　　該財團的工作將集中于半導體微影制程技術，該技術用于 (0)(0)評論此篇文章其它評論發(fā)起話題相關資訊財訊論壇請輸入驗證碼創(chuàng)建硅片電路。

　　隨著紫外線曝光設備預計將于2012年或以后登錄市場，最小的理論半導體電路寬度將減少到10納米。但實際上大規(guī)模生產(chǎn)的線寬接近這一數(shù)字的芯片將需要諸如光刻膠樹脂和光掩膜等材料的改進，以及芯片制造設備的改良。

　　東芝和三星電子計劃利用該技術制造10納米級NAND閃存和其他芯片。更窄的電路預計將使內(nèi)存芯片的存儲能力增加兩倍，從而使一張郵票大小的芯片容納400千兆字節(jié)成為可能，即相當于約100個高清晰度電影。

　　英特爾可能將利用這一技術開發(fā)更快的微處理器。

（轉(zhuǎn)載）