在多晶硅太陽能電池的生產(chǎn)工藝中， 絨面的制備一般采用酸蝕刻的方式進(jìn)行，制絨效果的差異則以絨面反射率值的大小和蝕刻深度作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。本文通過調(diào)整制程參數(shù)而獲取蝕刻深度分別為2.82μm、3.83μm、4.41μm、5.92μm的四組樣片，分析了蝕刻深度與后續(xù)各制程之間的關(guān)系，確定了隨著蝕刻深度的增加，鍍膜厚度和正面電極主柵線的抗拉力有逐漸增加的趨勢(shì)，同時(shí)擴(kuò)散阻值與蝕刻深度沒有必然的聯(lián)系。根據(jù)最終的電性參數(shù)，確定了最佳的蝕刻深度。為了提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，通常需要對(duì)太陽能電池表面做陷光處理[1]。常用的方式是使用熱的堿溶液來獲取金字塔狀的表面，從而降低光的反射率，此種方式通常在（100）面有明顯效果[2]。

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