2017年11月27日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET? Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷，導(dǎo)通電阻還不到0.6mΩ，使柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)也達(dá)到最低，可使各種應(yīng)用提高效率和功率密度。

　　今天發(fā)布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK?SO-8封裝，是目前最大導(dǎo)通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比，SiRA20DP的典型柵極電荷更低，只有61nC，F(xiàn)OM為0.035Ω*nC，低32%。其他25V N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻則要高11%甚至更多。

　　SiRA20DP的低導(dǎo)通電阻可減小傳導(dǎo)功率損耗，提高系統(tǒng)效率，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，特別適合冗余電源架構(gòu)中的OR-ring功能。器件的FOM較低，可提高開(kāi)關(guān)性能，如通信和服務(wù)器電源中DC/DC轉(zhuǎn)換，電池系統(tǒng)中的電池切換，以及5V到12V輸入電源的負(fù)載切換。

　　這顆MOSFET經(jīng)過(guò)了100%的RG和UIS測(cè)試，符合RoHS，無(wú)鹵素。

　　SiRA20DP現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十五周。

　　VISHAY簡(jiǎn)介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、通信、國(guó)防、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站。

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