富士通電子推出可在125℃高溫下穩(wěn)定運行的最新4Mbit FRAM
非易失性內(nèi)存是苛刻環(huán)境下具備高可靠性的汽車和工業(yè)應(yīng)用的理想之選

         上海，2020年7月24日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達(dá)到FRAM產(chǎn)品最高水平，運作溫度最高可達(dá)125℃。目前可為客戶提供評測版樣品。
         這款全新FRAM是非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，在125℃高溫環(huán)境下可以達(dá)到10兆次讀/寫次數(shù)，工作電流低，是工業(yè)機器人和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等汽車應(yīng)用的最佳選擇。
         FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產(chǎn)20多年，近年來廣泛用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機器人和無人機。
         自去年發(fā)布以來，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業(yè)設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用，而MB85RS4MTY將其容量提高了一倍，達(dá)到4M bit，滿足更高容量的需求，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V。由于這款FRAM工作電流低，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA（運作頻率50MHz），最大掉電模式電流為30μA，因此有助于降低環(huán)境敏感應(yīng)用的功耗。
         這款全新FRAM在-40℃至+ 125℃溫度范圍內(nèi)可以達(dá)到10兆次讀/寫次數(shù)，適合某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。例如，每0.03毫秒重寫一次數(shù)據(jù)，同一地址連續(xù)記錄數(shù)據(jù)可達(dá)10年之久。
         這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝，可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM。此外，還提供8-pin DFN（無引線雙側(cè)扁平）封裝。

圖1：MB85RS4MTY 8-pin DFN（頂部?底部） 

圖2：FRAM應(yīng)用實例

         富士通電子將繼續(xù)提供內(nèi)存產(chǎn)品和解決方案，滿足市場和客戶的未來需求。

關(guān)鍵規(guī)格

         ?組件型號：MB85RS4MT
         ?容量（組態(tài)）：4 Mbit（512K x 8位）
         ?接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
         ?運作頻率：最高50 MHz
         ?運作電壓：1.8V - 3.6V
         ?運作溫度范圍：-40°C - +125°C
         ?讀/寫耐久性：10兆次（1013次）
         ?封裝規(guī)格：8-pin DFN，8-pin SOP

關(guān)于富士通電子元器件（上海）有限公司

        富士通電子元器件（上海）有限公司是富士通在中國的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連等地均設(shè)有分公司，負(fù)責(zé)統(tǒng)籌富士通在中國半導(dǎo)體的銷售業(yè)務(wù)。
        富士通電子元器件（上海）有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括 Custom SoCs （ASICs），代工服務(wù)，專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（ASSPs），鐵電隨機存儲器，繼電器，GaN（氮化鎵），MCU和電源功率器件等，它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應(yīng)用于高性能光通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、手持移動終端、影像設(shè)備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設(shè)備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領(lǐng)域。

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