5月3日，英飛凌科技公司宣布推出一款新型汽車電源模塊HybridPACK? Drive CoolSiC?。該全橋模塊采用CoolSiC MOSFET技術，阻斷電壓為1200V，適用于電動汽車（EV）的牽引逆變器?；谄嘋oolSiC溝槽MOSFET技術，該電源模塊適用于高功率密度和高性能應用，從而為具有超長續(xù)航和較低電池成本的車輛逆變器提供更高的效率，特別是搭載800 V電池系統(tǒng)和更大電池容量的車輛。

（圖片來源：英飛凌）

         現(xiàn)代汽車集團電氣化開發(fā)團隊負責人Jin-Hwan Jung博士表示：“全球模塊化電動平臺（E-GMP）的800 V系統(tǒng)為下一代電動汽車奠定了技術基礎，縮短了充電時間。通過使用基于英飛凌CoolSiC電源模塊的牽引逆變器，我們能夠?qū)④囕v的行駛里程提高5%以上，因為與基于硅的解決方案相比，這種SiC解決方案的損耗更低，并提高了效率?！?BR>         英飛凌創(chuàng)新與新興技術負責人Mark Münzer表示：“電動汽車市場已經(jīng)高度活躍，為創(chuàng)意和創(chuàng)新奠定了基礎。隨著SiC器件價格的大幅下降，SiC解決方案的商業(yè)化將加速，從而使SiC技術被廣泛應用于提升電動車的續(xù)航里程，而采用SiC技術的平臺也更具成本效益?！?BR>         該電源模塊可為從硅到碳化硅的相同路徑提供簡便的升級途徑，從而使得逆變器設計能夠在1200 V級中實現(xiàn)高達250 kW的高功率、更長的續(xù)航里程、更小的電池尺寸以及優(yōu)化的系統(tǒng)尺寸和成本。為了在不同功率水平下提供最佳的性價比，該產(chǎn)品提供具有不同芯片數(shù)的兩種版本，即1200 V 400 A或200 A直流額定值版本。

CoolSiC汽車MOSFET技術

         第一代CoolSiC汽車MOSFET技術被優(yōu)化以用于牽引逆變器，專注實現(xiàn)最低的傳導損耗，尤其是在部分負載條件下。與硅IGBT相比，結(jié)合碳化硅MOSFET的低開關損耗可提高逆變器操作效率。
         除優(yōu)化性能外，英飛凌還非常重視可靠性。汽車CoolSiC?MOSFET的設計和測試可實現(xiàn)短路魯棒性以及高水平的宇宙射線和柵極氧化物的魯棒性，這些對于高效設計、可靠的汽車牽引逆變器和其他高壓應用至關重要。該HybridPACK驅(qū)動器CoolSiC電源模塊符合汽車電源模塊AQG324規(guī)范。

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