2022年1月27日，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出兩款全新碳化硅(SiC)MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A;后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A。作為東芝首批具有上述額定電壓的產(chǎn)品，它們與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件產(chǎn)品線。

　　這兩種新模塊在安裝方式上兼容廣泛使用的硅(Si)IGBT模塊。兩種新模塊的低損耗特性滿足了工業(yè)設(shè)備對(duì)提高效率、減小尺寸的需求，例如用于軌道車(chē)輛的轉(zhuǎn)換器和逆變器以及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。

　　? 應(yīng)用：

　　- 用于軌道車(chē)輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器

　　- 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)

　　- 電機(jī)控制設(shè)備

　　- 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器

　　? 特性：

　　- 安裝方式兼容Si IGBT模塊

　　- 損耗低于Si IGBT模塊

　　MG600Q2YMS3

　　VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A，Tch=25℃

　　Eon=25mJ(典型值)，Eoff=28mJ(典型值)@VDS=600V，ID=600A，Tch=150℃

　　MG400V2YMS3

　　VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A，Tch=25℃

　　Eon=28mJ(典型值)，Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V，ID=400A，Tch=150℃

　　- 內(nèi)置NTC熱敏電阻

　　? 主要規(guī)格：

　　(除非另有說(shuō)明，@Tc=25℃)

（轉(zhuǎn)載）