據(jù)外媒報(bào)道，英飛凌公司（Infineon Technologies AG）推出全新CoolSiC?技術(shù)，提高既定芯片面積的導(dǎo)通電阻。作為領(lǐng)先的碳化硅（SiC）芯片，這款CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H適用于一系列產(chǎn)品組合，將采用流行的Easy系列模塊，以及使用.XT互連技術(shù)的離散封裝。M1H芯片具有高度靈活性，適用于需要滿足峰值需求的太陽能系統(tǒng)，如逆變器。該芯片也適用于電動(dòng)汽車快速充電、儲(chǔ)能系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用。

（圖片來源：英飛凌）

       CoolSiC基技術(shù)的最新進(jìn)展，使柵極運(yùn)行窗口明顯增大，從而提升既定芯片面積的導(dǎo)通電阻。與此同時(shí)，更大的柵極運(yùn)行窗口，針對(duì)與柵極驅(qū)動(dòng)器和布局相關(guān)的電壓峰值，提供高度穩(wěn)健性，即使在更高的開關(guān)頻率下也沒有限制。除了M1H芯片技術(shù)，相關(guān)外殼還可用于技術(shù)和封裝變體，以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，并為設(shè)計(jì)工程師提供更多選擇，以提高應(yīng)用性能。
       M1H將集成到廣受歡迎的Easy系列，以進(jìn)一步完善Easy 1B和2B模塊。此外，還將推出一款新產(chǎn)品，使用新的1200 V CoolSiC MOSFET來增強(qiáng)Easy 3B模塊。所推出的新尺寸芯片可充分提升靈活性，以確保實(shí)現(xiàn)最廣泛的工業(yè)組合。使用M1H芯片，可以顯著提高模塊的導(dǎo)通電阻，使器件更加可靠、高效。
       此外，最高臨時(shí)結(jié)溫度為175°C，過載能力增強(qiáng)，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和故障事件覆蓋范圍。與其前身M1相比，M1H實(shí)現(xiàn)了較小的內(nèi)部RG，從而輕松優(yōu)化開關(guān)行為。M1H芯片保持了這種動(dòng)態(tài)行為。
       除了Easy模塊系列，CoolSiC MOSFET 1200 V M1H產(chǎn)品組合，還通過TO247-3和TO247-4分立封裝，提供新的超低導(dǎo)通電阻7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。這些新器件易于設(shè)計(jì)，特別是由于柵電壓過沖和欠沖，新的最大柵源電壓降至-10 V，并具有雪崩和短路能力。
       以前在D 2PAK-7L封裝中引入的.XT互連技術(shù)，現(xiàn)在也可在TO-封裝中實(shí)現(xiàn)。與標(biāo)準(zhǔn)互連相比，散熱能力提高了30%以上。受益于這種熱效益，輸出功率可提高達(dá)15%。另外，這還有助于增加開關(guān)頻率，以進(jìn)一步減少電動(dòng)汽車充電、儲(chǔ)能或光伏系統(tǒng)等應(yīng)用中的無源組件，提高功率密度，并降低系統(tǒng)成本。在不改變系統(tǒng)運(yùn)行條件的情況下，.XT技術(shù)將降低SiC MOSFET的結(jié)溫度，從而顯著提高系統(tǒng)壽命和功率循環(huán)能力。

（轉(zhuǎn)載）