7月19日，高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。

　　TP65H050G4BS通過了JEDEC認證，為設計者和制造商提供了多項優(yōu)勢，賦能他們開發(fā)通常用于數(shù)據(jù)中心和廣泛工業(yè)應用的高功率(數(shù)千瓦到幾千瓦)系統(tǒng)。它具有Transphorm一流的可靠性、柵極穩(wěn)健性(±20 Vmax)和抗硅噪聲閾值(4V)，以及氮化鎵技術(shù)所具備的易設計性和驅(qū)動性能。工程師們需要使用較大的D2PAK來滿足更高的功率和表面貼裝封裝需求。與PQFN封裝相比，D2PAK可以實現(xiàn)更好的熱性能，同時幫助用戶通過單一的制造流程提高PCB組裝效率。

　　D2PAK可作為分立器件提供，也可配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC無橋圖騰柱功率因素校正(PFC)評估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。它還可以切換至1.2kW同步半橋TDHBG1200DC100-KIT評估板，以驅(qū)動多千瓦功率。

　　Transphorm全球營銷、應用和業(yè)務發(fā)展高級副總裁Philip Zuk表示：“D2PAK是對我們產(chǎn)品組合的一個重要補充。它將我們的SMD產(chǎn)品的可用性拓展至高功率領域，而之前我們用通孔器件支持這些應用。客戶可獲得我們氮化鎵平臺的多項優(yōu)勢，如熟悉的TO-XXX封裝消除了設計挑戰(zhàn)、簡化了系統(tǒng)開發(fā)并加快了產(chǎn)品上市速度。”

　　Transphorm是當前提供標準TO-XXX封裝的高壓氮化鎵器件的唯一氮化鎵供應商。值得注意的是，鑒于其固有的柵極損壞敏感性，這些封裝產(chǎn)品不支持替代性的增強型氮化鎵技術(shù)。

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