8 月4 日–移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝，為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性價比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。

　　在 650/750V 狀態(tài)下，第四代 UJ4C/SC 系列的 RDS(on) 為 9 毫歐姆 (mohm)，實現(xiàn)行業(yè)低水平，該系列的額定電阻為 9、11、18、23、33、44 和 60 豪歐姆。該廣泛選擇為工程師提供更多器件選項，支持更大的靈活性，以實現(xiàn)理想成本/效率平衡，同時維持豐富的設(shè)計裕量和電路穩(wěn)健性。這些器件利用獨(dú)到的共源共柵 SiC FET 技術(shù)，其中，處于常開狀態(tài)的 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝，產(chǎn)生處于常閉狀態(tài)的 SiC FET，這些器件提供出色的 RDS x A 品質(zhì)因數(shù)，能夠最大限度減少小尺寸裸片中的傳導(dǎo)損失。

　　UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)總工程師 Anup Bhalla 表示：“D2PAK-7L 封裝可減少緊湊內(nèi)部連接回路中的電感，再加上附帶的開爾文源連接，能夠?qū)崿F(xiàn)低開關(guān)損耗，支持更高的工作頻率，并提高系統(tǒng)功率密度。此外，這些器件采用銀燒結(jié)芯片貼裝，通過液體冷卻最大限度排出標(biāo)準(zhǔn) PCB 和 IMS 基板上的熱量，因此熱阻非常低?！?/FONT>