中國上海，2022年8月30日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。
新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%[5]，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產品有助于提高設備效率。
東芝將進一步壯大其功率器件產品線，強化生產設施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現(xiàn)碳中和經濟。
? 應用：
- 開關電源（服務器、數(shù)據(jù)中心、通信設備等）
- 電動汽車充電站
- 光伏變頻器
- 不間斷電源（UPS）
? 特性：
- 單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）
- 低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V
? 主要規(guī)格：
（除非另有說明，Ta＝25℃）
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器件型號 |
封裝 |
絕對最大額定值 |
電氣特性 |
庫存查詢與購買 | |||||||
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漏極-源極電壓 VDSS（V） |
柵極-源極電壓 VGSS（V） |
漏極電流 （DC） ID（A） |
漏極-源極導通電阻 RDS(ON) 典型值（mΩ） |
柵極閾值電壓 Vth（V） |
總柵極電荷 Qg 典型值（nC） |
柵極-漏極電荷 Qgd 典型值（nC） |
輸入電容 Ciss 典型值（pF） |
二極管正向電壓 VDSF典型值 （V） | |||
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@Tc＝25℃ |
@VGS＝18V |
@VDS＝10V |
@VDS＝400V、 F＝100kHz |
@VGS＝-5V | |||||||
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TO-247 |
1200 |
-10至25 |
100 |
15 |
3.0至5.0 |
158 |
23 |
6000 |
-1.35 |
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60 |
30 |
82 |
13 |
2925 |
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40 |
45 |
57 |
8.9 |
1969 |
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36 |
60 |
46 |
7.8 |
1530 |
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20 |
140 |
24 |
4.2 |
691 |
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650 |
100 |
15 |
128 |
19 |
4850 |
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58 |
27 |
65 |
10 |
2288 |
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40 |
48 |
41 |
6.2 |
1362 |
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30 |
83 |
28 |
3.9 |
873 |
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20 |
107 |
21 |
2.3 |
600 |
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注：
[1] 通過采用為第二代SiC MOSFET開發(fā)的內置肖特基勢壘二極管的架構，東芝開發(fā)出一種可降低單位面積導通電阻（RDS(ON)A），同時降低JFET區(qū)域反饋電容的器件架構。
[2] MOSFET：金屬氧化物半導體場效應晶體管。
[3] 當?shù)诙?/FONT>SiC MOSFET的RDS(ON)A被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。
[4] 當?shù)诙?/FONT>SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。
[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調研。
*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
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公司23,100名員工遍布世界各地，致力于實現(xiàn)產品價值的最大化，東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作，旨在促進價值共創(chuàng)，共同開拓新市場，公司現(xiàn)已擁有超過7,110億日元（62億美元）的年銷售額，期待為世界各地的人們建設更美好的未來并做出貢獻。
（轉載）
