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造車(chē)工藝

AOS推出新款650V與750V SiC MOSFET 可用于電動(dòng)汽車(chē)等應(yīng)用

ainet.cn   2022年11月11日

據(jù)外媒報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間1110日,阿爾法和歐米伽半導(dǎo)體公司(Alpha and Omega Semiconductor Limited,AOS)宣布推出行業(yè)領(lǐng)先的650V750V SiC MOSFET新平臺(tái),可用于工業(yè)與汽車(chē)應(yīng)用。650V SiC MOSFET是太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備、工業(yè)電源以及新能源儲(chǔ)能系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的理想開(kāi)關(guān)解決方案,而符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的750V SiC MOSFET則可用于車(chē)載充電器(OBC)和主牽引逆變器等電動(dòng)汽車(chē)(EV)系統(tǒng),此類(lèi)系統(tǒng)對(duì)可靠性都有較高的要求。AOS公司是一家設(shè)計(jì)、研發(fā)各種功率半導(dǎo)體、功率集成電路以及數(shù)字電源產(chǎn)品的全球供應(yīng)商。


AOS MOSFET產(chǎn)品(圖片來(lái)源:AOS

新款AOM015V75X2Q 750V αSiC MOSFET在第二代1200V αSiC MOSFET和二極管產(chǎn)品的基礎(chǔ)上得到擴(kuò)展,在標(biāo)準(zhǔn)TO-247-4L封裝中,RDS(ON)值低至15mΩ,為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。同時(shí),保持了+15V柵極電壓,確保與現(xiàn)有的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案廣泛兼容。由于采用了最小的內(nèi)部柵極電阻和優(yōu)化的電池設(shè)計(jì),AOS設(shè)計(jì)的此類(lèi)設(shè)備具有超快的開(kāi)關(guān)速度,且完全可由外部柵極電阻進(jìn)行控制。與現(xiàn)有的 750V SiC MOSFET解決方案相比,其RON x QGDRON x QRR等標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)關(guān)性能指標(biāo)(FoM)也得到了改進(jìn)。

此類(lèi)新型αSiC MOSFET的突出優(yōu)勢(shì)在于平面SiC MOSFET的短路耐受時(shí)間(SCWT)性能得到顯著提升。對(duì)于很多應(yīng)用,特別是電動(dòng)汽車(chē)逆變器,較長(zhǎng)的SCWT可以大大提升系統(tǒng)的堅(jiān)固性,并為研發(fā)人員提供更大的設(shè)計(jì)靈活性。為了提升SCWT,通常需要顯著增加產(chǎn)品的晶片尺寸,這可能會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的成本。在AOS的測(cè)試中,與尺寸相同的競(jìng)品相比,此類(lèi)新型750V MOSFET保持了類(lèi)似、甚至更低的RON x A,同時(shí)SCWT性能提升了逾40%。


    技術(shù)亮點(diǎn):

1、650V αSiC MOSFET符合工業(yè)使用要求;

2、750V αSiC MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適用于各種電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用,符合PPAP(生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序);

3RDS(ON)值低至15mΩ;

4、具有低Qrr(反向恢復(fù)電荷)以及堅(jiān)固的二極管;

5、最高工作結(jié)溫為175°C

定價(jià)與上市情況

首批750V汽車(chē)系列αSiC MOSFET產(chǎn)品(AOM015V75X2Q、AOM060V75X2Q)和650V工業(yè)系列(AOM015V65X2、AOM060V65X2MOSFET產(chǎn)品將在2022年第四季度開(kāi)始接受預(yù)訂。

(轉(zhuǎn)載)

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