在AI革新的浪潮中，我們見證了從語言對話到圖像及短視頻生成的探索與應用，AI不斷衍生的應用場景，正成為驅動AI大模型技術迭代和產業(yè)增長的重要力量。受應用場景驅動影響，AI需要更高性能的芯片來滿足數據資源的計算、傳感、存儲、通訊、安全等需求，集成電路技術擁有巨大的創(chuàng)新空間。

近年，芯片三維集成技術發(fā)展迅猛，三維集成的方式能有效地提高芯片整體性能和良率，高帶寬存儲HBM[1]和CoWoS[2]先進封裝技術被廣泛應用并加速發(fā)展，拉動集成電路裝備產業(yè)高質量發(fā)展。

北方華創(chuàng)深耕集成電路裝備產業(yè)二十余載，可為先進封裝領域客戶提供TSV(硅通孔)制造、正面制程-大馬士革工藝、背面制程-露銅刻蝕和RDL(再布線層)工藝的全面解決方案，涉及刻蝕、薄膜、爐管、清洗四大類二十余款裝備工藝解決方案。

在刻蝕裝備工藝解決方案中，北方華創(chuàng)PSE V300設備在TSV工藝中采用快速氣體和射頻切換控制系統(tǒng)結合的方式，在高深寬比深硅刻蝕中精準控制側壁形貌，實現側壁無損傷和線寬無損傷，刻蝕均勻性、選擇比更佳;采用每腔單片設計，具有更好的氣流場均勻性和真圓度工藝表現;通過優(yōu)化機臺晶圓邊緣保護裝置，提高產品良率;在2.5D[3]工藝中，北方華創(chuàng)提供可滿足BVR(背面通孔暴露)和BFR(背面平整暴露)不同工藝需求的刻蝕工藝解決方案;北方華創(chuàng)HSE D300設備在Plasma Dicing(等離子體切割)工藝中針對小芯片制造具有高刻蝕速率和高深寬比能力優(yōu)勢，具有多種UV膜[4]的冷卻方式，保證UV膜的延展性，實現高質量的芯片切割;BMD P300設備作為封裝領域Descum(去殘膠)的主力產品，在Bumping(凸點工藝)、Fan out(扇出封裝)、2.5D&3D應用中的殘留光刻膠去除、殘余金屬去除、表面活化等工藝方面，為客戶提供Descum解決方案。

在薄膜沉積裝備工藝解決方案中，北方華創(chuàng)采用PEALD(等離子體增強原子層沉積)方式沉積二氧化硅保護層，可實現更好的側壁形貌和底層覆蓋率;在TSV Barrier/Seed Deposition(阻擋層/種子層沉積)工藝中采用PVD(物理氣相沉積)設備解決方案，能滿足金屬擴散阻擋層/種子層的膜厚、均勻性、粘附性要求，防止金屬擴散，確保器件電學性能、結構完整性和工藝兼容性。

在爐管裝備工藝解決方案中，北方華創(chuàng)設備在TSV工藝的退火環(huán)節(jié)中通過出色的溫度控制能力和工藝表現，實現銅的晶粒分布更加均勻，降低電阻率，提高TSV的制造質量和性能。

在清洗裝備工藝解決方案中，北方華創(chuàng)設備在TSV工藝中可實現水溶性化學物質的結合，有效去除側壁聚合物，確保深孔內壁清潔;在2.5D工藝中可降低銅的腐蝕率，提高化學品應用效率，實現更高的經濟效益。

北方華創(chuàng)面向先進封裝領域提供多種核心工藝設備解決方案，始終堅持以客戶需求為導向，助力客戶開拓創(chuàng)新，推動產業(yè)進步，創(chuàng)造無限可能。

[1] AI對算力與存力的需求大幅提升，需要巨大的內存帶寬。

[2] AI芯片訓練和推理需要在內存和處理器之間傳輸大量數據，CoWoS則可將多個芯片堆疊在一起實現高度集成，提升芯片之間的通信效率。

[3]2.5D工藝是一種先進的封裝技術，通過在硅片的背面形成TSV(硅通孔)和RDL(再布線層)來實現不同芯片或芯片區(qū)域之間的垂直互連。

[4] 主要用以阻隔紫外線對敏感器件或工藝過程的影響，確保半導體制造過程中的高精度與高質量。

（來源：北方華創(chuàng)）