自主安全和國(guó)產(chǎn)替代背景下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈本土化成為長(zhǎng)期趨勢(shì)。
半導(dǎo)體行業(yè)有“一代設(shè)備、一代工藝、一代產(chǎn)品”的發(fā)展特征。
作為一代工藝發(fā)展的前提，半導(dǎo)體設(shè)備的性能提升對(duì)所有下游變革起到?jīng)Q定性的先導(dǎo)作用，是實(shí)現(xiàn)自主可控國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵領(lǐng)域。
SEMI預(yù)計(jì)2025年全球300nm設(shè)備支出將首次超過(guò)1000億美元，2027年將達(dá)到1370億美元的歷史新高。我國(guó)未來(lái)四年將保持每年300億美元以上的投資規(guī)模，持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)12英寸晶圓代工產(chǎn)能。
成熟制程產(chǎn)能占比快速提升，由此持續(xù)帶來(lái)的高強(qiáng)度資本支出，有望為半導(dǎo)體設(shè)備帶來(lái)廣闊的需求空間。
資料來(lái)源：SEMI
半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵基石，泛指用于生產(chǎn)各類(lèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，支撐著年產(chǎn)值數(shù)千億美元的半導(dǎo)體行業(yè)和數(shù)萬(wàn)億美元的電子信息行業(yè)。
典型的集成電路制造產(chǎn)線設(shè)備投資中，芯片制造及硅片制造設(shè)備投資占比約80%，是集成電路制造設(shè)備投資中的最主要部分。
集成電路制造領(lǐng)域典型資本開(kāi)支結(jié)構(gòu)：
半導(dǎo)體設(shè)備主要分為前道工藝設(shè)備（晶圓制造）和后道工藝設(shè)備（封裝測(cè)試）。
前道晶圓制造分為7大工藝，分別為氧化/擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、清洗和金屬化。相對(duì)應(yīng)的專(zhuān)用半導(dǎo)體設(shè)備主要包括氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等。
后道設(shè)備包括減薄、劃片、打線、Bonder、FCB、BGA 植球、檢查、測(cè)試設(shè)備等。
硅片制造是半導(dǎo)體加工的第一大環(huán)節(jié)。
硅片在經(jīng)過(guò)研磨，拋光，切片后形成硅晶圓片，也就是晶圓。
典型的晶圓制造過(guò)程復(fù)雜耗時(shí)，需要花費(fèi)6-8周的時(shí)間，涵蓋350多道步驟。
晶圓制造的工藝流程主要包括擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長(zhǎng)、拋光、金屬化。
主要用到的核心設(shè)備有薄膜沉積設(shè)備、光刻設(shè)備和刻蝕設(shè)備。
這三大設(shè)備的價(jià)值量占比遠(yuǎn)超其他設(shè)備，各自所占市場(chǎng)規(guī)模均接近20%。
光刻工藝是半導(dǎo)體制造中價(jià)值量、技術(shù)壁壘和時(shí)間占比最高的部分之一。
光刻設(shè)備在半導(dǎo)體前道制造設(shè)備中的占比約為20%。
加上配套的涂膠顯影設(shè)備和光刻工藝需要用到的掩模版、光刻膠等耗材，整體光刻工藝的費(fèi)用約占芯片生產(chǎn)成本的1/3左右，耗費(fèi)時(shí)間約占40%~00%。
光刻機(jī)內(nèi)部零件種類(lèi)眾多，且越高端的光刻機(jī)組成越復(fù)雜，如EUV內(nèi)部零件多達(dá)8萬(wàn)件以上。
主要組成系統(tǒng)包括：光源系統(tǒng)、光學(xué)系統(tǒng)（包括照明系統(tǒng)和投影物鏡）、掩模臺(tái)、掩模傳輸系統(tǒng)、工件臺(tái)、晶圓傳輸系統(tǒng)、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、調(diào)平調(diào)焦系統(tǒng)、環(huán)境控制系統(tǒng)、整機(jī)框架和減振系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)和整機(jī)軟件等。
其中光源、光學(xué)系統(tǒng)、雙工件臺(tái)為光刻機(jī)的三大核心部件，價(jià)值量占比約為15%、24%、12%。
光刻機(jī)光源包括UV、DUV和EUV，其中EUV技術(shù)難度極高。
光刻機(jī)光源供應(yīng)幾乎由美國(guó)Cymer和日本Gigaphoton壟斷。
目前Cymer（2013年被ASML收購(gòu)）和日本的Gigaphoton近乎壟斷全球光刻機(jī)的光源供應(yīng)，且僅有Cymer能夠量產(chǎn)EUV光源，Gigaphoton也已進(jìn)入EUV光源量產(chǎn)機(jī)型商業(yè)化的驗(yàn)證階段。
國(guó)內(nèi)僅科益虹源可提供DUV準(zhǔn)分子激光光源（KrF、ArF）。
投影物鏡是光刻機(jī)中實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)成像的關(guān)鍵部件，主要作用是將掩模圖形按照一定縮放比例成像到硅片上。
投影物鏡構(gòu)造復(fù)雜，通常由多枚鏡片組成，如ASML的DUV光刻機(jī)鏡頭由29片鏡片組成。
投影物鏡技術(shù)難度極高，國(guó)外光刻投影物鏡的光學(xué)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)專(zhuān)利主要集中于ASML、蔡司、Nikon和Canon，其中蔡司是全球唯一可提供EUV投影物鏡的廠商。
蔡司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)與ASML聯(lián)系緊密，子公司Zeiss SMT是ASML光學(xué)部件的獨(dú)家供應(yīng)商，且ASML于2017年 收購(gòu)了Ziess SMT 24.9%的股份并持有至今。
國(guó)內(nèi)相關(guān)研究集中在上海微電子、長(zhǎng)春國(guó)科精密光學(xué)技術(shù)有限公司、北京國(guó)望光學(xué)科技有限公司、中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所等。
光刻機(jī)企業(yè)往往具備高外采率以及與供應(yīng)商共同研發(fā)的特點(diǎn)。
全球IC光刻機(jī)市場(chǎng)呈現(xiàn)“一超雙強(qiáng)”的競(jìng)爭(zhēng)格局。
目前全球從事光刻機(jī)制造的公司主要包括ASML、Nikon、Canon、上海微電子、Veeco、Suss等公司，其中ASML、Nikon和Canon三家占據(jù)了絕大部分光刻機(jī)市場(chǎng)。
ASML在高端光刻機(jī)領(lǐng)域，特別是極紫外（EUV）光刻機(jī)方面，處于絕對(duì)領(lǐng)先地位，市場(chǎng)份額超過(guò)90%。中高端的ArF、ArFi、EUV光刻機(jī)市場(chǎng)均由ASML壟斷，ASML是目前全球唯一能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的廠商。
EUV光刻機(jī)采用極紫外光源，具有更高的分辨率和更短的曝光時(shí)間，適用于制造7納米及以下線寬的先進(jìn)芯片。
根據(jù)ASML最新的技術(shù)路線圖，未來(lái)十年內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)能將持續(xù)提升，目標(biāo)2030-2035年各品類(lèi)光刻機(jī)產(chǎn)能提升至目前的1.5-2倍。
國(guó)內(nèi)方面，2023年以來(lái)上海、廣東、北京、湖北和安徽等地從荷蘭進(jìn)口光刻機(jī)的規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)。我國(guó)各省市光刻機(jī)的進(jìn)口體量往往能夠反映該地區(qū)晶圓廠未來(lái)的擴(kuò)產(chǎn)傾向，光刻機(jī)的進(jìn)口均價(jià)也可在一定程度上反映未來(lái)擴(kuò)產(chǎn)制程的先進(jìn)水平。
當(dāng)前海外出口管制逐步嚴(yán)苛，同時(shí)也為了滿足國(guó)內(nèi)高端芯片代工自給化的需求，光刻設(shè)備及零部件國(guó)產(chǎn)化的重要程度持續(xù)提升。
國(guó)內(nèi)對(duì)標(biāo)產(chǎn)品為ASML的DUV光刻機(jī)：TWINSCANNXT:2000i。以NXT:2000i為例，各子系統(tǒng)拆分如下：上海微電子負(fù)責(zé)光刻機(jī)設(shè)計(jì)和總體集成，北京科益虹源提供光源系統(tǒng)，北京國(guó)望光學(xué)提供物鏡系統(tǒng)，國(guó)科精密提供曝光光學(xué)系統(tǒng)，華卓精科提供雙工作臺(tái)，浙江啟爾機(jī)電提供浸沒(méi)系統(tǒng)；芯碁微裝直寫(xiě)光刻。
上海微電子自主研發(fā)的600系列光刻機(jī)（如SSA600/20型號(hào)）突破了外國(guó)光刻機(jī)的限制，可批量生產(chǎn)90納米工藝的芯片，并且已經(jīng)成功交付了首臺(tái)28納米工藝的國(guó)產(chǎn)沉浸式光刻機(jī)。
蘇大維格向上海微電子提供光刻機(jī)用的定位光柵產(chǎn)品；藍(lán)英裝備是全球領(lǐng)先的清洗系統(tǒng)和表面處理設(shè)備及解決方案提供商，是上海微電子的供應(yīng)商；騰景科技的多波段合分束器產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入上海微電子的供應(yīng)鏈。
華卓精科研制出國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)雙工作臺(tái)系統(tǒng)，打破國(guó)外在這一領(lǐng)域的技術(shù)壟斷；福晶科技是全球最大的LBO、BBO非線性光學(xué)晶體生產(chǎn)商，光刻機(jī)平行光源系統(tǒng)已應(yīng)用于國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)；茂萊光學(xué)提供精密的光學(xué)儀器，包括光刻機(jī)所需的透鏡和投影物鏡等組件；賽微電子主要提供光學(xué)器件、投影物鏡等。
晶方科技下屬的荷蘭ANTERYON公司服務(wù)于國(guó)際領(lǐng)先的光刻機(jī)廠商；奧普光電下屬的長(zhǎng)春光機(jī)所是國(guó)內(nèi)光刻機(jī)技術(shù)研發(fā)的重要力量，長(zhǎng)春光機(jī)所自上世紀(jì)九十年代起就專(zhuān)注于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的研究，已取得了多項(xiàng)重大成果，包括國(guó)內(nèi)第一套EUV光刻原理裝置的研制和EUV光刻關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)等；同飛股份液體恒溫設(shè)備在半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域主要應(yīng)用于光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備的溫度控制。
國(guó)內(nèi)光刻機(jī)零部件環(huán)節(jié)眾多，各細(xì)分領(lǐng)域都涌現(xiàn)出一批代表廠商。
光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈及部分主要廠商：
數(shù)據(jù)來(lái)源：各公司官網(wǎng)，郭乾統(tǒng)《基于光刻機(jī)全球產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r分析我國(guó)光刻機(jī)突破路徑》，東吳證券
刻蝕是決定集成電路特征尺寸的核心技術(shù)之一。
刻蝕工藝是指將經(jīng)圖形曝光并在半導(dǎo)體硅片表面的光刻膠微圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠下層薄膜材料上，選擇性刻蝕掉光刻膠下層材料上未被光刻膠掩蔽的部分。
刻蝕設(shè)備與光刻、薄膜沉積并稱(chēng)為半導(dǎo)體制造三大核心設(shè)備。
流刻蝕設(shè)備分為CCP（電容耦合等離子體）和 ICP（電感耦合等離子體），CCP占比47%，ICP在刻蝕機(jī)總量中占比53%。
全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)格局高度集中，海外三大廠商寡頭壟斷，占據(jù)總市場(chǎng)份額的約90%。
刻蝕設(shè)備是國(guó)內(nèi)率先取得突破的半導(dǎo)體制造核心設(shè)備，中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份等廠商在刻蝕設(shè)備引領(lǐng)國(guó)產(chǎn)替代。
中微公司在刻蝕方面基本上全面覆蓋，等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國(guó)際一線客戶(hù)從65納米到14納米、7納米和5納米及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。在3DNAND中，中微公司等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于128層及以上的量產(chǎn)，新開(kāi)發(fā)的用于超高深寬比掩膜刻蝕的ICP設(shè)備在生產(chǎn)線上驗(yàn)證順利。
北方華創(chuàng)與中微公司并列刻蝕設(shè)備雙雄。ICP刻蝕國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、12寸CCP晶邊刻蝕機(jī)Accura BE已經(jīng)推出并量產(chǎn)，2024年3月發(fā)布12英寸雙大馬士革CCP刻蝕機(jī)；國(guó)內(nèi)后起之秀廠商屹唐半導(dǎo)體的刻蝕干刻設(shè)備應(yīng)用于三星電子、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等客戶(hù)。
薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學(xué)和電等方面的特殊性能。
作為芯片結(jié)構(gòu)內(nèi)的功能材料層，薄膜性能直接影響電路圖形轉(zhuǎn)移質(zhì)量和芯片芯能，除了與沉積材料有關(guān)，最主要受薄膜沉積工藝影響。
按照工藝原理的不同可分為物理氣相沉積（PVD）設(shè)備、化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備和原子層沉積（ALD）設(shè)備。
其中，CVD占沉積設(shè)備整體市場(chǎng)份額的64%，其技術(shù)路線較多且具有較好的孔隙填充和膜厚控制能力，是應(yīng)用最廣的沉積設(shè)備。
薄膜沉積設(shè)備技術(shù)壁壘高，價(jià)值占比大。
全球薄膜沉積設(shè)備由國(guó)際巨頭高度壟斷，其中 PVD 領(lǐng)域應(yīng)用材料一家獨(dú)大，CVD、ALD領(lǐng)域?yàn)楣杨^壟斷。
CVD設(shè)備應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體、東京電子三家合計(jì)占有全球 70%市場(chǎng)份 額，整體保持穩(wěn)定；ALD設(shè)備先晶半導(dǎo)體、東京電子合計(jì)占全球 75%市場(chǎng)份額。
國(guó)內(nèi)薄膜沉積設(shè)備主要廠商包括中微公司、拓荊科技、北創(chuàng)華創(chuàng)、盛美上海等。
北方華創(chuàng)在PVD、APCVD以及用于功率等領(lǐng)域的PECVD、ALD等方面都有所布局，突破了多項(xiàng)核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片金屬化制程的全覆蓋。
拓荊科技是國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用PECVD和SACVD設(shè)備的供應(yīng)商。產(chǎn)品適配國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的28/14nm邏輯芯片、19/17nmDRAM芯片及64/128層3D NAND FLASH晶圓制造產(chǎn)線，并應(yīng)用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、廈門(mén)聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠，累計(jì)發(fā)貨超150臺(tái)。
盛美上海前道大馬士革ECD設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量訂單，SiNLPCVD客戶(hù)端進(jìn)行量產(chǎn)認(rèn)證。
涂膠顯影設(shè)備與光刻機(jī)緊密協(xié)作，是光刻工序中的核心設(shè)備。
涂膠顯影設(shè)備是光刻工序中與光刻機(jī)配套使用的涂膠、烘烤及顯影設(shè)備，包括涂膠機(jī)、噴膠機(jī)和顯影機(jī)。
涂膠顯影是光刻環(huán)節(jié)的核心工序之一：
在光刻工序涂膠顯影設(shè)備領(lǐng)域，日本處于全球領(lǐng)先地位，主要廠商包括日本東京電子（TEL）、日本DNS（Screen）等，均主要聚焦在前道晶圓加工領(lǐng)域。
國(guó)產(chǎn)廠商芯源微是國(guó)內(nèi)主要涂膠顯影設(shè)備供應(yīng)商，公司于2018年自主研發(fā)出首臺(tái)國(guó)產(chǎn)高產(chǎn)能前道涂膠設(shè)備，并成功通過(guò)下游集成電路制造廠工藝驗(yàn)證。目前芯源微生產(chǎn)的前道涂膠顯影設(shè)備已獲得了多個(gè)前道大客戶(hù)訂單及應(yīng)用，部分型號(hào)設(shè)備工藝水平已能夠?qū)?biāo)國(guó)際主流機(jī)臺(tái)。
整體來(lái)看，涂膠顯影國(guó)產(chǎn)化率較低，替代空間十分廣闊。
半導(dǎo)體清洗是針對(duì)不同的工藝需求對(duì)晶圓表面進(jìn)行無(wú)損傷清洗以去除半導(dǎo)體制造過(guò)程中的顆粒、自然氧化層和拋光殘留物等雜質(zhì)的工序。
為減少雜質(zhì)對(duì)芯片良率的影響，實(shí)際生產(chǎn)中不僅需要提高單次清洗效率，還需在幾乎所有制程前后進(jìn)行頻繁清洗。
按照清洗原理劃分，清洗工藝可分為干法清洗和濕法清洗，目前90%以上的清洗步驟以濕法工藝為主。
全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備由日本公司DNS和TEL主導(dǎo)，兩家市場(chǎng)份額占比合計(jì)約80%。
我國(guó)半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的廠商包括盛美上海、北方華創(chuàng)、芯源微和至純科技等。
盛美上海單片清洗設(shè)備最高可單臺(tái)配置18腔體，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，目前正在擬研發(fā)的產(chǎn)品包括干法設(shè)備拓展領(lǐng)域產(chǎn)品和超臨界CO2清洗干燥設(shè)備；芯源微的前道Spin Scrubber 清洗機(jī)設(shè)備目前已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，成功實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。
相比于其他半導(dǎo)體設(shè)備，清洗設(shè)備的技術(shù)門(mén)檻較低，國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)了其他大部分設(shè)備，未來(lái)五年有望率先實(shí)現(xiàn)全面國(guó)產(chǎn)化。
化學(xué)機(jī)械研磨/化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是目前公認(rèn)的納米級(jí)全局平坦化精密加工技術(shù)。
在硅片制造環(huán)節(jié)，在完成拉晶、硅錠加工、切片成型環(huán)節(jié)后，在拋光環(huán)節(jié)，為最終得到平整潔凈的拋光片需要通過(guò)CMP設(shè)備及工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)。
在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，硅通孔（TSV）技術(shù)、扇出（Fan Out）技術(shù)、2.5D 轉(zhuǎn)接板（interposer）、3D IC等都需要使用CMP設(shè)備。
集成電路制造過(guò)程及CMP工藝應(yīng)用場(chǎng)景：
資料來(lái)源：華海清科
全球CMP設(shè)備廠商中，美國(guó)廠商應(yīng)用材料占據(jù)絕大部分份額約70%。
國(guó)內(nèi)CMP設(shè)備的主要供應(yīng)商為華海清科、北京爍科精微電子裝備有限公司和中電45所。
華海清科是國(guó)內(nèi)唯一一家能夠提供12英寸CMP設(shè)備商業(yè)機(jī)型的制造商。2014年推出了國(guó)內(nèi)首臺(tái)擁有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的12英寸CMP設(shè)備，打破了國(guó)際巨頭在此領(lǐng)域數(shù)十年的壟斷；新拋光系統(tǒng)架構(gòu)CMP機(jī)臺(tái)Universal H300已經(jīng)實(shí)現(xiàn)小批量出貨；客戶(hù)包括中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)等。
離子注入是一種摻雜技術(shù)，是將特定元素以離子形式加速到預(yù)定能量后注入至半導(dǎo)體材料之中，改變其導(dǎo)電特性并最終制成包括晶體管在內(nèi)的集成電路基本器件。
離子注入機(jī)設(shè)備十分龐大，包含幾個(gè)子系統(tǒng)：氣體系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng)和最重要的射線系統(tǒng)。
離子注入機(jī)系統(tǒng)構(gòu)成：
全球離子注入機(jī)市場(chǎng)，美國(guó)公司壟斷絕大部分市場(chǎng)份額，應(yīng)用材料(AMAT)占據(jù)了約70%的市場(chǎng)份額，壟斷全球離子注入市場(chǎng)，此外，亞舍立(Axcelis)占據(jù)約20%的市場(chǎng)份額。
日本也擁有日新、日本真空、住友重工等離子注入機(jī)知名廠商。
國(guó)內(nèi)企業(yè)中凱世通和中科信是集成電路離子注入機(jī)研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)軍廠商。
2024年4月，凱世通半導(dǎo)體大束流離子注入機(jī)在客戶(hù)工廠舉行首臺(tái)move in儀式。這是凱世通于2022年1月獲得國(guó)內(nèi)主流12英寸芯片制造廠近7億元的設(shè)備訂單后，僅用3個(gè)月的時(shí)間，完成該訂單的首批多套設(shè)備順利發(fā)貨；2024年11月，凱世通成功向一家12英寸晶圓廠的新客戶(hù)交付了首臺(tái)低能大束流離子注入機(jī)。
中科信已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋，形成中束流、大束流、高能及第三代半導(dǎo)體等全系列離子注入機(jī)產(chǎn)品格局。
去膠是刻蝕或離子注入完成之后去除殘余光刻膠的過(guò)程。
去膠工藝類(lèi)似于刻蝕，操作對(duì)象是光刻膠。
全球干法去膠設(shè)備領(lǐng)域呈現(xiàn)多寡頭競(jìng)爭(zhēng)的發(fā)展趨勢(shì)，前五大廠商的市場(chǎng)份額合計(jì)超過(guò)90%。
國(guó)內(nèi)廠商屹唐半導(dǎo)體市占率位居全球第一，已全面覆蓋全球前十大芯片制造商和國(guó)內(nèi)行業(yè)領(lǐng)先芯片制造商，當(dāng)前已量產(chǎn)的干法去膠設(shè)備已可用于90-5納米邏輯芯片、1Y到2X納米（約14-29nm）系列DRAM芯片以及32-128層3D NAND芯片的生產(chǎn)；盛美上海的產(chǎn)品主要為濕法光刻膠剝離設(shè)備。
在芯片封裝完成后，通過(guò)測(cè)試機(jī)和分選機(jī)的配合使用，對(duì)電路成品進(jìn)行功能及穩(wěn)定性測(cè)試，挑選出合格成品。
晶圓檢測(cè)中的探針臺(tái)和測(cè)試機(jī)工作示意圖：
測(cè)試機(jī)又稱(chēng)半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試機(jī)，對(duì)芯片施加輸入信號(hào)、采集輸出信號(hào)，并將測(cè)試結(jié)果通過(guò)傳送給探針臺(tái)，探針臺(tái)據(jù)此對(duì)芯片進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記，形成晶圓的Map圖。
測(cè)試服務(wù)廠家主要分為兩類(lèi)：封測(cè)廠自有測(cè)試產(chǎn)線和專(zhuān)業(yè)的第三方測(cè)試公司。
測(cè)試機(jī)國(guó)外公司主要有泰瑞達(dá)、愛(ài)德萬(wàn)、科休半導(dǎo)體，國(guó)內(nèi)代表廠商主要是長(zhǎng)川科技、華峰測(cè)控。
國(guó)內(nèi)技術(shù)難度較低模擬測(cè)試機(jī)已基本實(shí)現(xiàn)自產(chǎn)自用，但技術(shù)難度要求較高的SoC測(cè)試機(jī)、存儲(chǔ)器測(cè)試機(jī)及RF測(cè)試機(jī)國(guó)產(chǎn)自給率仍然較低。
在國(guó)內(nèi)封測(cè)需求增加、產(chǎn)能吃緊以及價(jià)格上升的情況下，國(guó)內(nèi)四大封測(cè)廠長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技、晶方科技募資擴(kuò)產(chǎn)有利拉動(dòng)上游測(cè)試設(shè)備廠。
分選機(jī)主要應(yīng)用于芯片設(shè)計(jì)檢驗(yàn)階段和成品終測(cè)（FT）環(huán)節(jié)，是終測(cè)環(huán)節(jié)重要檢測(cè)設(shè)備之一。
國(guó)內(nèi)分選機(jī)企業(yè)主要有長(zhǎng)川科技（重力式和平移式分選機(jī)）、金海通（平移式分選機(jī)）、上海中藝（重力式分選機(jī)）、格朗瑞（轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)）、精測(cè)電子等。
整體來(lái)看，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近年來(lái)高速發(fā)展，雖然在高端光刻機(jī)和量測(cè)/檢測(cè)設(shè)備方面，國(guó)內(nèi)替代進(jìn)展相對(duì)緩慢，但在清洗、CMP、熱處理等領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化率已超30%。隨著先進(jìn)制程產(chǎn)品逐步成熟以及先進(jìn)制程持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)廠商設(shè)備有望持續(xù)提升整體國(guó)產(chǎn)化率。（來(lái)源樂(lè)晴智庫(kù)精選）
在光刻工序涂膠顯影設(shè)備領(lǐng)域，日本處于全球領(lǐng)先地位，主要廠商包括日本東京電子（TEL）、日本DNS（Screen）等，均主要聚焦在前道晶圓加工領(lǐng)域。
