舊金山, 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)——鎧俠株式會(huì)社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項(xiàng)尖端3D閃存技術(shù)，憑借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度，樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。

兩家公司在2025年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上展示了這項(xiàng)3D閃存創(chuàng)新技術(shù)，它與公司突破性的CBA(CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列)技術(shù)1相結(jié)合，采用最新的NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR6.0以及SCA(獨(dú)立命令地址)協(xié)議2(一種全新的接口命令地址輸入方式)，同時(shí)還整合了PI-LTT(電源隔離低抽頭終端)技術(shù)3(在進(jìn)一步降低功耗方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用)。

基于此獨(dú)有的高速技術(shù)優(yōu)勢(shì)，兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品(BiCS FLASH™ generation 8)實(shí)現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達(dá)到4.8Gb/s。此外，該技術(shù)也顯著提升了數(shù)據(jù)輸入/輸出的能效，輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，成功實(shí)現(xiàn)了高性能與低功耗的最優(yōu)平衡。兩家公司預(yù)展第十代3D閃存(BiCS FLASH™ generation 10)技術(shù)時(shí)介紹，通過(guò)將存儲(chǔ)層數(shù)增至332層并優(yōu)化晶圓平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。

鎧俠首席技術(shù)官宮島英史表示：“隨著人工智能技術(shù)的普及，預(yù)計(jì)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將顯著增加，同時(shí)現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心對(duì)能效提升的需求也在增長(zhǎng)。鎧俠深信，這項(xiàng)新技術(shù)將實(shí)現(xiàn)更大容量、更高速度和更低功耗的產(chǎn)品，包括用于未來(lái)存儲(chǔ)解決方案的SSD產(chǎn)品，并為人工智能的發(fā)展奠定基礎(chǔ)。”

閃迪公司全球戰(zhàn)略與技術(shù)高級(jí)副總裁Alper Ilkbahar表示：“隨著人工智能的進(jìn)步，客戶對(duì)存儲(chǔ)器的需求日益多樣化。我們通過(guò)CBA技術(shù)創(chuàng)新，致力于推出在容量、速度、性能和資本效率方面達(dá)到最佳組合的產(chǎn)品，以滿足各細(xì)分市場(chǎng)客戶的需求。”

鎧俠和閃迪還分享了即將推出的第九代3D閃存(BiCS FLASH™ generation 9)計(jì)劃。通過(guò)其獨(dú)特的CBA技術(shù)，兩家公司能夠?qū)⑿碌腃MOS技術(shù)與現(xiàn)有的存儲(chǔ)單元技術(shù)相結(jié)合，從而提供資本效率高、性能優(yōu)異且功耗低的產(chǎn)品。兩家公司將繼續(xù)致力于開(kāi)發(fā)前沿閃存技術(shù)，提供定制化解決方案以滿足客戶需求，并為數(shù)字社會(huì)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

（來(lái)源：鎧俠）