測試企業(yè)布局力度將加大
　　2007年外資和我國臺(tái)資封裝測試企業(yè)在中國內(nèi)地的投資力度將大幅增加。2006年11月，美國投資公司凱雷(Carlyle)集團(tuán)宣布收購臺(tái)灣日月光半導(dǎo)體(asE)公司。隨后，12月日月光以6000萬美元收購?fù)羁萍肌?007年2月，日月光與恩智浦宣布準(zhǔn)備在蘇州合資成立封裝測試公司。雖然4月份傳出因價(jià)格未談攏，凱雷已放棄收購計(jì)劃，但一系列動(dòng)作表明目前全球最大的IC封裝測試廠商日月光在中國內(nèi)地的布局在加快。

　　2007年臺(tái)灣當(dāng)局將放寬封測業(yè)投資大陸的種種限制，臺(tái)灣地區(qū)封裝測試業(yè)的西進(jìn)步伐將加大。集中于上海、蘇州等地的矽品科技、京元電子、捷敏電子、飛信半導(dǎo)體等臺(tái)資企業(yè)2007年將加大投資力度和營運(yùn)規(guī)模，封裝測試能力會(huì)有所提升。

　　同時(shí)，歐、美、日、新加坡等外商投資的封裝測試企業(yè)，在2007年的投資力度和生產(chǎn)規(guī)模也將有新的提升。英特爾成都封測廠在2006年正式投產(chǎn)后，今年的產(chǎn)能將穩(wěn)步上升，同時(shí)在上海的第二條封裝測試線也將投入使用。2006年6月，無錫華潤微電子有限公司與星科金朋在無錫簽署協(xié)議，確定對華潤安盛實(shí)行股權(quán)、業(yè)務(wù)層面的合資合作，將引線框架封裝的封測業(yè)務(wù)由上海轉(zhuǎn)至無錫，從而使星科金朋可以專注于高端封裝市場的開發(fā)。2006年奇夢達(dá)、星科金朋等外資企業(yè)的產(chǎn)能、銷售收入提升速度驚人，2007年將有新的增長。

　　中高檔封測產(chǎn)品占比將逐年提升

　　過去20多年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從歐美到日韓、中國臺(tái)灣，再到中國內(nèi)地、新加坡、馬來西亞等地的遷移，產(chǎn)業(yè)遷移是一種必然趨勢。雖然與封裝測試業(yè)發(fā)達(dá)的臺(tái)灣地區(qū)相比，目前我國內(nèi)地本土企業(yè)的IC封裝測試主要是一些中低檔產(chǎn)品，如DIP、SOP(SSOP、TSOP)、QFP(LQFP、TQFP)等，與國際先進(jìn)封裝測試技術(shù)相比存在較大差距。但隨著產(chǎn)業(yè)遷移的加速，一些外資或合資企業(yè)相繼引入和開發(fā)了MCM(MCP)、BGA、CSP、MEMS、SiP等先進(jìn)封裝測試技術(shù)。

　　同時(shí)，內(nèi)資及內(nèi)資控股企業(yè)近年來堅(jiān)持不懈的科技研發(fā)已結(jié)出果實(shí)，如：長電科技的WLP和FBP、南通富士通的MCM等。因此，無論從封裝測試企業(yè)的技術(shù)能力還是從IC封裝測試市場的需求來看，中高檔封裝測試產(chǎn)品的產(chǎn)量將逐年上升。

　　應(yīng)對知識(shí)產(chǎn)權(quán)、環(huán)?？简?yàn)

　　集成電路封裝測試技術(shù)領(lǐng)域高端技術(shù)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及專利權(quán)多為國際大公司所掌握，內(nèi)地企業(yè)要涉足其中必然會(huì)遇到知識(shí)產(chǎn)權(quán)及專利權(quán)轉(zhuǎn)讓問題。然而國外公司的高端技術(shù)是不會(huì)輕易轉(zhuǎn)讓的，因此，內(nèi)地企業(yè)在發(fā)展中高端封裝測試技術(shù)時(shí)勢必會(huì)面臨這一難題。如何解決？這將考驗(yàn)業(yè)界精英們的智慧。

　　同時(shí)，隨著歐盟RoHS、WEEE與EuP等指令的實(shí)施，特別是中國《電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法》已于2007年3月1日起生效，對內(nèi)地IC封裝測試業(yè)帶來了直接影響。要符合法規(guī)的要求，企業(yè)必須在技術(shù)、資金上不斷加大投入，研發(fā)或引進(jìn)新技術(shù)、新材料，這樣勢必會(huì)增加生產(chǎn)成本，降低企業(yè)贏利能力。

　　負(fù)面因素仍然不減

　　進(jìn)入2007年以來，人民幣升值、原材料上漲的壓力依然不減。2006年由于人民幣升值及金、銀、銅、錫等金屬材料價(jià)格上漲的影響，封裝測試企業(yè)的贏利水平普遍下降了一成左右。因此，預(yù)計(jì)2007年人民幣升值和原材料漲價(jià)等因素仍會(huì)困擾封裝測試企業(yè)。另外，近年內(nèi)地勞動(dòng)力成本上升較快，特別是長三角地區(qū)勞動(dòng)力成本與我國臺(tái)灣、新加坡等地相比，優(yōu)勢已逐年降低。

　　可以預(yù)見，內(nèi)地封裝測試業(yè)的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)將作出調(diào)整，低附加值的封裝測試產(chǎn)品將由長三角地區(qū)逐步向中西部勞動(dòng)力成本相對較低的地區(qū)轉(zhuǎn)移。

　　相關(guān)鏈接

　　新型封裝測試技術(shù)

　　MCM(MCP)技術(shù)

　　南通富士通公司自主開發(fā)掌握了MCM(Multi-Chip Module)多芯片模塊塑料封裝技術(shù)，它是將兩個(gè)或兩個(gè)以上的大規(guī)模集成電路芯片安裝在多層互連基板上，由金絲實(shí)現(xiàn)芯片與基板、金屬框架間的相互連通，再由樹脂包封外殼的多芯片集成電路。已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的MCM52封裝產(chǎn)品將Flash Memory芯片、視頻信號(hào)處理器裸芯片、深亞微米CMOS技術(shù)VLSI芯片封裝于一個(gè)塑封體內(nèi),主要用于數(shù)字電視(HDTV)等產(chǎn)品。技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)、國內(nèi)領(lǐng)先水平。同時(shí)，公司在MCP(Multi-Chip Package)多芯片封裝領(lǐng)域也有豐富經(jīng)驗(yàn)。公司為中國華大、臺(tái)灣華昕等客戶的電路產(chǎn)品進(jìn)行封裝設(shè)計(jì)，成功地將12個(gè)芯片封裝于一個(gè)塑封體內(nèi)。

　　SiP封裝測試技術(shù)

　　SiP(System in Package)系統(tǒng)級(jí)封裝與測試技術(shù)是公司近期開發(fā)的封測技術(shù)之一，特別是SiP測試技術(shù)。系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)，是采用MCM與3D技術(shù)可把模擬電路、數(shù)字電路、存儲(chǔ)器、功率器件、光電器件、微波器件及各類片式化元器件有效地組裝在封裝體內(nèi)，形成單一半導(dǎo)體集成電路不可能完成的多功能部件、子系統(tǒng)或系統(tǒng)?？墒咕€路之間串?dāng)_噪聲減少、阻抗易控等，從而使電路性能提高。

　　SiP測試技術(shù)更是一個(gè)難點(diǎn)，它包括數(shù)字電路部分的功能測試、模擬電路部分的高精度交流測試、混合電路部分的A/D和D/A測試以及存儲(chǔ)器部分的讀寫測試。該電路測試參數(shù)多達(dá)2000余項(xiàng)，集中涵括了中頻電路、模擬電路、邏輯電路、混合信號(hào)電路及存儲(chǔ)器等多方面的測試技術(shù)，同時(shí)要解決多種不同芯片集成在同一電路里測試時(shí)的相互干擾問題。

　　MEMS技術(shù)

　　MEMS(Micro Electro-Mechanical Systems)微機(jī)電系統(tǒng)是目前迅速發(fā)展起來的一項(xiàng)新興技術(shù)。該技術(shù)在網(wǎng)絡(luò)、光傳輸、汽車、辦公自動(dòng)化等領(lǐng)域已開始廣泛應(yīng)用。MEMS主要包含微型傳感器、執(zhí)行器和相應(yīng)的處理電路三部分。南通富士通自主開發(fā)以LCC(Leadless Chip Carrier)無引腳芯片載體形式封裝MEMS加速度傳感器，它的主體是亞微米的CMOS電路、發(fā)熱與測溫等微機(jī)械結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品已批量生產(chǎn)。該MEMS加速度傳感器的靈敏度為1/1000g，可用于筆記本電腦、汽車、白色家電等產(chǎn)品。

　　BCC封裝技術(shù)

　　BCC(BUMP CHIP CARRIER)凸點(diǎn)芯片載體封裝技術(shù)，是目前國際上已有30余種不同結(jié)構(gòu)的CSP(CHIP SCALE PACKAGE或CHIP SIZE PACKAGE)芯片級(jí)封裝技術(shù)中的一種，是日本富士通公司的專利技術(shù)。它是短引線封裝，這種封裝適合于低腳數(shù)、高頻率的集成電路。其封裝后的IC大小與芯片尺寸相近，是國際上近幾年發(fā)展起來的主流封裝技術(shù)之一。其IC產(chǎn)品技術(shù)含量高、封裝體積小，適用于電子、移動(dòng)通信、個(gè)人數(shù)字助理等領(lǐng)域，市場前景廣闊。

　　Flash Memory(TSOP)塑封技術(shù)

　　Flash Memory(閃爍存儲(chǔ)器)的封裝外形種類很多，有TSOP、LQFP、BGA、CSP等。南通富士通應(yīng)客戶的要求開發(fā)了TSOP48封裝外形的Flash Memory產(chǎn)品的封裝，解決了產(chǎn)品厚度薄(僅1mm)、裝片難度大(中島大于芯片)，塑封、切筋打彎工藝技術(shù)要求高等難題。

　　多種無鉛化塑封技術(shù)

　　為了滿足美、日與歐盟等發(fā)達(dá)國家對電子產(chǎn)品無鉛化的要求，適應(yīng)歐盟WEEE、RoHS指令及中國《電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法》的規(guī)定。純錫電鍍、錫鉍電鍍及鍍鈀框架等多種無鉛化封裝技術(shù)，一方面滿足了客戶需求，另一方面提高了產(chǎn)品的科技含量，跨越了發(fā)達(dá)國家的技術(shù)壁壘。目前，南通富士通無鉛化產(chǎn)品已占產(chǎn)品總量的95%以上。同時(shí)，在無鉛化的基礎(chǔ)上，采用綠色模塑料(不含鹵族元素、氧化銻阻燃劑成分)封裝的綠色產(chǎn)品的產(chǎn)量也逐年增加。

　　汽車電子電路封裝測試技術(shù)

　　汽車電子電路產(chǎn)品的使用環(huán)境惡劣，環(huán)境溫度變化范圍大，這將導(dǎo)致一系列有關(guān)可靠性的問題產(chǎn)生，其中包括環(huán)氧塑封料與硅片/框架/基底之間的爆米花現(xiàn)象，由于應(yīng)力過大而引起的塑封料或硅片的裂縫等問題。對于環(huán)氧塑封材料本身而言，除了不能使用溴代環(huán)氧和氧化銻外，還要求能夠通過高溫回流焊溫度條件下的更為嚴(yán)格的耐濕性、耐焊性考核。

　　在電路封裝測試中，還需解決電磁兼容性(EMC)問題。同時(shí)汽車電子電路產(chǎn)品要通過IC加速試驗(yàn)和鑒定標(biāo)準(zhǔn)(AEC-Q100)的考核，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品交貨零缺陷。

　　Strip Test(條式/框架測試)技術(shù)

　　條式測試技術(shù)是公司新近開發(fā)的測試技術(shù)之一，屬國際先進(jìn)水平。條式測試改變了傳統(tǒng)半導(dǎo)體制造工藝路線，將測試工序提前至IC分離之前，實(shí)現(xiàn)IC在條料上進(jìn)行測試。它具有提高生產(chǎn)能力、降低測試費(fèi)用的優(yōu)勢，特別適合于外形小、引線腳少、產(chǎn)量大的IC產(chǎn)品。南通富士通目前已成功開發(fā)了SOL8產(chǎn)品的條式測試技術(shù)，可同步測試112只產(chǎn)品。

　　銅線鍵合技術(shù)

　　銅線鍵合技術(shù)是采用銅線替代金線，與金線相比具有降低成本、信號(hào)傳遞速度高、功率傳輸能力強(qiáng)等特點(diǎn)，目前南通富士通在TSSOP封裝產(chǎn)品中已采用，并實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。

　　此外，南通富士通正在積極開發(fā)QFN、BGA等封裝測試技術(shù)，部分產(chǎn)品已完成考核，不久即可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

（轉(zhuǎn)載）