在自然界中，有一種銀白略帶淡藍(lán)色的金屬“銦”，它質(zhì)地軟、可延展、電阻低、抗腐蝕，具有較好的光滲透性和較強(qiáng)的導(dǎo)電性等優(yōu)點(diǎn)。以銦制成的ITO(氧化銦錫)作為靶材，廣泛用于液晶顯示器、平板屏幕、觸摸屏、光學(xué)鍍膜等產(chǎn)品的生產(chǎn)。

此外，它也被應(yīng)用在異質(zhì)結(jié)電池制程的第三個(gè)環(huán)節(jié)，即通過(guò)PVD設(shè)備，利用磁控濺射原理，將靶材(ITO)沉積到硅片表面，制備雙面一致的透明導(dǎo)電膜(TCO)。

然而，作為一種稀有金屬，銦的價(jià)格較高，因此，為了促進(jìn)異質(zhì)結(jié)技術(shù)的降本增效產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，邁為股份從設(shè)備端與工藝端等方面“多管齊下”，持續(xù)推動(dòng)異質(zhì)結(jié)TCO的低銦方案，努力降低異質(zhì)結(jié)電池對(duì)銦的依賴(lài)，避免制造端被其掣肘。以下為您介紹邁為的“降銦三部曲”：

一、設(shè)備優(yōu)化降銦

對(duì)于異質(zhì)結(jié)電池的PVD設(shè)備，邁為從研發(fā)設(shè)計(jì)之初就重視靶材單耗的降低。通過(guò)對(duì)濺射單元的不斷優(yōu)化，目前邁為的最新設(shè)備對(duì)于100%銦基靶材的理論單耗已從近20mg/W降至13.5mg/W，舊設(shè)備亦可升級(jí)。

在致力優(yōu)化靶材單耗的過(guò)程中，得益于對(duì)大量測(cè)試數(shù)據(jù)與改進(jìn)方案的深厚積累，邁為已形成清晰、有效的單耗降低技術(shù)路徑。預(yù)計(jì)在2023年末，邁為提供的異質(zhì)結(jié)電池制造整體解決方案中，對(duì)于100%銦基靶材的理論單耗可降低到12mg/W左右。

二、低銦疊層膜降銦

將低銦疊層膜方案(50%無(wú)銦)與上述設(shè)備改進(jìn)方案相結(jié)合，銦基靶材理論單耗可降低至6mg/W左右。

通過(guò)持續(xù)不斷的工藝研發(fā)，邁為采用50%銦基+50%非銦基疊層TCO制備的異質(zhì)結(jié)電池，其轉(zhuǎn)換效率已可與全銦基TCO電池持平。同時(shí)，低銦基方案具備良好的可靠性與穩(wěn)定性，與銅電鍍以及銀包銅等低成本方案亦可完美結(jié)合。

對(duì)于此類(lèi)低銦方案，邁為的PVD設(shè)備均可兼容，僅需通過(guò)靶材與靶位調(diào)整即可輕松導(dǎo)入?？紤]到非銦基靶材的種類(lèi)很多，其電阻率的跨度很大，邁為的PVD設(shè)備采用多種輸入模式，可以讓非銦基靶材的濺射更加穩(wěn)定。

三、規(guī)?；熁厥?/STRONG>